氮化物半導體雷射元件
文献类型：专利
| 作者 | 小崎德也; 佐野雅彥; 中村修二; 長濱慎一 |
| 发表日期 | 2005-07-01 |
| 专利号 | TWI235501B |
| 著作权人 | 日亞化學工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半導體雷射元件 |
| 英文摘要 | 一種可作為讀取、寫入大容量媒體之光源，而在高輸出下提高橫模式安定性、壽命特性之氮化物半導體雷射元件，其特徵為：依序積層活性層、p側鞘層、p側接觸層，藉自該p側接觸層予以蝕刻，在寬度1~3微米，深度達p側鞘層膜厚0.1微米以下之位置，而在發光層以上形成條帶狀波導路區域。特別者，在改善遠視野像之縱橫比經改善之p側導光層具有狹窄條帶狀突出部，且在該突出部上具有p型氮化物半導體層，該p側導光層突出部之膜厚為1微米以下。另外p側導光層之膜厚較n側導光層厚。 |
| 公开日期 | 2005-07-01 |
| 申请日期 | 2000-03-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47972]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亞化學工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎德也,佐野雅彥,中村修二,等. 氮化物半導體雷射元件. TWI235501B. 2005-07-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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