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单片集成式多波长半导体锁模激光器

文献类型:专利

作者刘松涛; 张希林; 陆丹; 张瑞康; 吉晨; 王圩
发表日期2017-10-03
专利号CN104617486B
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名单片集成式多波长半导体锁模激光器
英文摘要本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列,相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中,SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益,通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率;AWG主要起到选模及复用不同波长的功能;SA实现被动锁模或者混合锁模。
公开日期2017-10-03
申请日期2014-11-04
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47973]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘松涛,张希林,陆丹,等. 单片集成式多波长半导体锁模激光器. CN104617486B. 2017-10-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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