半導體雷射,半導體雷射之製造方法及半導體雷射之安裝方法
文献类型：专利
| 作者 | 鹽澤秀夫; 山本善生; 野野村敏幸; 福岡和雄 |
| 发表日期 | 2002-10-21 |
| 专利号 | TW507407B |
| 著作权人 | 東芝股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射,半導體雷射之製造方法及半導體雷射之安裝方法 |
| 英文摘要 | 防止半導體雷射之端面保護膜之脫落。藉由於p型InGaP蝕刻停止層5上，形成p型 InGaA1P脊形帶狀光波導層6之外，並形成p型 InGaA1P脊形帶狀層6a，於光波導隆起部13之兩側形成光非波導隆起部13a。圖示請參照第1圖。 |
| 公开日期 | 2002-10-21 |
| 申请日期 | 2001-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47974]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東芝股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鹽澤秀夫,山本善生,野野村敏幸,等. 半導體雷射,半導體雷射之製造方法及半導體雷射之安裝方法. TW507407B. 2002-10-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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