半导体器件的制造方法和回旋管
文献类型：专利
| 作者 | 沼居贵阳 |
| 发表日期 | 2005-06-01 |
| 专利号 | CN1204661C |
| 著作权人 | 佳能株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体器件的制造方法和回旋管 |
| 英文摘要 | 制造半导体器件的方法，包括以下步骤，在衬底上制备具有至少一个半导体层的部件，在该半导体层上形成电极层，在该电极层上形成刻蚀掩模，通过刻蚀该电极层和半导体层形成台面。 |
| 公开日期 | 2005-06-01 |
| 申请日期 | 2000-04-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47979]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 佳能株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沼居贵阳. 半导体器件的制造方法和回旋管. CN1204661C. 2005-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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