辐射半导体元器件
文献类型：专利
| 作者 | R·布滕代希; N·林德; B·迈尔; I·皮聪卡 |
| 发表日期 | 2009-09-09 |
| 专利号 | CN100539211C |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 辐射半导体元器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种辐射半导体元器件，其具有一种层状结构，该层状构造包含有一个n-掺杂的界限层(14)、一个p-掺杂的界限层(22)和一个布置在n-掺杂界限层(14)和p-掺杂的界限层(22)之间的活性的、发射光子的层(18)。按照本发明规定，n-掺杂的界限层(14)掺杂有第一种掺杂材料(或者两种相互不同的n-掺杂材料)；而且活性层(18)只掺杂一种与第一种掺杂材料不同的第二种掺杂材料；半导体元器件是一种激光器二极管(10)，其中在活性层(18)和n-掺杂界限层(14)之间设有一个第一波导层(16)，并在活性层(18)和p-掺杂界限层(22)之间设有一个第二波导层(20)；所述第一波导层(16)用第二种掺杂材料掺杂；层状结构(14-22；34-38)以AlInGaP，AlGaAs，InGaAlAs或InGaAsP为基础构成。 |
| 公开日期 | 2009-09-09 |
| 申请日期 | 2004-06-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47988]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R·布滕代希,N·林德,B·迈尔,等. 辐射半导体元器件. CN100539211C. 2009-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。