垂直发射的、被光泵浦的、在单独的衬底上具有外部谐振器和频率倍增器的半导体
文献类型：专利
| 作者 | 乌尔里希・施特格米尔; 弗兰克・辛格; 托马斯・施瓦茨; 米夏埃尔・屈内尔特 |
| 发表日期 | 2012-01-04 |
| 专利号 | CN101351937B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直发射的、被光泵浦的、在单独的衬底上具有外部谐振器和频率倍增器的半导体 |
| 英文摘要 | 本发明说明了一种可光泵浦的半导体装置，其具有：表面发射的半导体本体(1)，该表面发射的半导体本体具有辐射穿透面(1a)，该辐射穿透面背离该半导体本体(1)的安装平面；以及光学元件(7)，该光学元件适于将泵浦辐射(17)偏转到半导体本体(1)的辐射透射面(1a)上。半导体本体(1)可以具有外部谐振器，该外部谐振器具有：封闭装置(31)、非线性介质(32)和组合的偏转和耦合输出元件(33)。 |
| 公开日期 | 2012-01-04 |
| 申请日期 | 2006-12-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乌尔里希・施特格米尔,弗兰克・辛格,托马斯・施瓦茨,等. 垂直发射的、被光泵浦的、在单独的衬底上具有外部谐振器和频率倍增器的半导体. CN101351937B. 2012-01-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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