半导体元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橘浩一; 斋藤真司; 布上真也 |
| 发表日期 | 2009-04-08 |
| 专利号 | CN100477421C |
| 著作权人 | 阿尔发得株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。 |
| 公开日期 | 2009-04-08 |
| 申请日期 | 2006-07-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47994]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 阿尔发得株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橘浩一,斋藤真司,布上真也. 半导体元件及其制造方法. CN100477421C. 2009-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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