在半导体衬底上制备量子环结构的方法
文献类型：专利
| 作者 | 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 |
| 发表日期 | 2011-10-05 |
| 专利号 | CN101241849B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 |
| 英文摘要 | 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。 |
| 公开日期 | 2011-10-05 |
| 申请日期 | 2007-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周慧英,曲胜春,金鹏,等. 在半导体衬底上制备量子环结构的方法. CN101241849B. 2011-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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