中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半导体光电器件

文献类型:专利

作者原君男; 川崎和重
发表日期2008-07-30
专利号CN100407463C
著作权人三菱电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体光电器件
英文摘要本发明提供一种宽广波长频带范围内,备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体,以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜;上述多层反射膜各自膜的折射率ni与膜厚di乘积nidi的总和∑nidi,关于波导上述波导层的光的波长λ满足∑nidi>λ/4的关系,同时上述多层反射膜的反射率是以上述波长λ情况的反射率R(λ)为基准,包括连续从-1%到+2.0%范围内上述波长λ的波长带宽Δλ除以上述波长λ的值Δλ/λ为0.062以上。
公开日期2008-07-30
申请日期2003-09-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48009]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
原君男,川崎和重. 半导体光电器件. CN100407463C. 2008-07-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。