一种发光二极管芯片制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 朱广敏; 张楠; 郝茂盛; 齐胜利; 杨卫桥; 陈志忠; 张国义 |
| 发表日期 | 2009-09-16 |
| 专利号 | CN100541850C |
| 著作权人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种发光二极管芯片制造方法 |
| 英文摘要 | 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，再用磷酸(温度为100-220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3-40微米，采用SC-2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30%以上。 |
| 公开日期 | 2009-09-16 |
| 申请日期 | 2008-08-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48014]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱广敏,张楠,郝茂盛,等. 一种发光二极管芯片制造方法. CN100541850C. 2009-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。