氮化物半导体结构及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭义德; 林素芳; 郭威宏; 刘柏均; 纪东炜; 赵主立; 蔡政达 |
| 发表日期 | 2013-01-02 |
| 专利号 | CN101958375B |
| 著作权人 | 财团法人工业技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体结构及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体基板及其制造方法，其中的氮化物半导体基板包括外延基板、氮化物柱层、氮化物半导体层及掩模层，其中氮化物柱层是由数个图案化排列的第一柱和数个图案化排列的第二柱所构成。氮化物柱层形成于外延基板上，第二柱的横截面宽度小于第一柱的横截面宽度，第二柱与第二柱之间的距离大于第一柱与第一柱之间的距离。掩模层则覆盖在第一柱、第二柱和外延基板的表面。氮化物半导体层则形成于氮化物柱层上。 |
| 公开日期 | 2013-01-02 |
| 申请日期 | 2009-07-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48016]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 财团法人工业技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭义德,林素芳,郭威宏,等. 氮化物半导体结构及其制造方法. CN101958375B. 2013-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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