用于制造用于光电子半导体芯片的有源区的方法和光电子半导体芯片
文献类型：专利
| 作者 | 约阿希姆·赫特功; 托马斯·伦哈特; 马库斯·恩希费尔德; 简-菲利普·阿尔 |
| 发表日期 | 2017-02-22 |
| 专利号 | CN104396031B |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用于制造用于光电子半导体芯片的有源区的方法和光电子半导体芯片 |
| 英文摘要 | 在至少一个实施方式中，方法设计成用于制造用于光电子半导体芯片的有源区并且包括下述步骤：生长基于Alx4Iny4Ga1‑x4‑y4N的第四阻挡层(24)，其中0≤x4≤0.40并且平均地0 |
| 公开日期 | 2017-02-22 |
| 申请日期 | 2013-05-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48018]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 约阿希姆·赫特功,托马斯·伦哈特,马库斯·恩希费尔德,等. 用于制造用于光电子半导体芯片的有源区的方法和光电子半导体芯片. CN104396031B. 2017-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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