一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构
文献类型：专利
| 作者 | 刘刚明; 张靖; 邓光华; 段利华; 周勇 |
| 发表日期 | 2017-03-22 |
| 专利号 | CN104269739B |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作，产品制作工艺简单成熟，成品率高，成本低，适用于批量生产制作。 |
| 公开日期 | 2017-03-22 |
| 申请日期 | 2014-10-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48029]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘刚明,张靖,邓光华,等. 一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构. CN104269739B. 2017-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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