氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治 |
| 发表日期 | 2006-04-26 |
| 专利号 | CN1253948C |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 |
| 英文摘要 | 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。 |
| 公开日期 | 2006-04-26 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48031]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村修二,山田孝夫,妹尾雅之,等. 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件. CN1253948C. 2006-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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