三族氮化物半導體元件及三族氮化物半導體基板
文献类型：专利
| 作者 | 岡 千秋; 笹岡 千秋 |
| 发表日期 | 2003-05-11 |
| 专利号 | TW531908B |
| 著作权人 | 日本電氣股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 三族氮化物半導體元件及三族氮化物半導體基板 |
| 英文摘要 | 本發明旨在提供一種三族氮化物半導體元件及三族氮化物半導體基板，其於三族氮化物半導體雷射中，可減低 A1GaN包覆層之缺陷密度。 於GaN基板501上，依序成長n型包覆層502、n型光束集中層503、重覆3次多重量子井(MQW)層504、罩層505、由摻雜Mg之p型GaN所形成的p型光束集中層506、p型A1GaN包覆層507、及由摻雜Mg之p型GaN所形成的p型接觸層508而形成LD構造。p型包覆層507係為於摻雜Mg之p型 A10.1Ga0.9N(Mg濃度2x10l9cm-3、厚度0.5mm)之中，等間隔插入3層摻雜Mg之GaN結晶回復層(厚度5nm)的多層構造。 |
| 公开日期 | 2003-05-11 |
| 申请日期 | 2002-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48033]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電氣股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 千秋,笹岡 千秋. 三族氮化物半導體元件及三族氮化物半導體基板. TW531908B. 2003-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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