发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴田智彦; 浅井圭一郎; 长井晃余; 田中光浩 |
| 发表日期 | 2005-03-16 |
| 专利号 | CN1193439C |
| 著作权人 | 日本碍子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法 |
| 英文摘要 | 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c＝1，a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z＝1，x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。 |
| 公开日期 | 2005-03-16 |
| 申请日期 | 2001-05-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48035]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本碍子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田智彦,浅井圭一郎,长井晃余,等. 发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法. CN1193439C. 2005-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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