Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 北冈康夫; 峯本尚; 木户口勋; 塚本和芳 |
| 发表日期 | 2010-05-12 |
| 专利号 | CN1610138B |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。 |
| 公开日期 | 2010-05-12 |
| 申请日期 | 2004-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北冈康夫,峯本尚,木户口勋,等. Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件. CN1610138B. 2010-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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