化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备
文献类型：专利
| 作者 | 中村淳一; 佐佐木和明 |
| 发表日期 | 2007-11-07 |
| 专利号 | CN100347821C |
| 著作权人 | 厦门三安光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III-V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III-V族化合物半导体层；在第一III-V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。 |
| 公开日期 | 2007-11-07 |
| 申请日期 | 2004-01-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门三安光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村淳一,佐佐木和明. 化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备. CN100347821C. 2007-11-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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