氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡俊雄 |
| 发表日期 | 2008-01-23 |
| 专利号 | CN100364119C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括在包含包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层的半导体叠层(36)的第一主表面(60)上局部形成的支撑电极(700)。一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法，包括步骤：通过在衬底上至少局部地堆叠包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层形成半导体叠层(36)；在与所述衬底(1)相对设置的所述半导体叠层(36)的主表面(60)上局部地形成支撑电极(700)；和除去所述衬底(1)。由此，提供了一种具有高外部发光效率、没有晶片破碎和破裂的氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法。 |
| 公开日期 | 2008-01-23 |
| 申请日期 | 2004-07-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48042]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡俊雄. 氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法. CN100364119C. 2008-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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