单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 元木健作; 弘田龙; 冈久拓司; 中畑成二 |
| 发表日期 | 2008-11-19 |
| 专利号 | CN100435268C |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 |
| 英文摘要 | 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。 |
| 公开日期 | 2008-11-19 |
| 申请日期 | 2002-10-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48044]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木健作,弘田龙,冈久拓司,等. 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法. CN100435268C. 2008-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。