半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 橘浩一; 本乡智惠; 布上真也; 小野村正明 |
| 发表日期 | 2009-01-07 |
| 专利号 | CN100449800C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III-V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。 |
| 公开日期 | 2009-01-07 |
| 申请日期 | 2005-08-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48046]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橘浩一,本乡智惠,布上真也,等. 半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件. CN100449800C. 2009-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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