半导体器件制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 日野智公; 浅野竹春; 朝妻庸纪; 喜嶋悟; 船户健次; 富谷茂隆 |
| 发表日期 | 2007-02-28 |
| 专利号 | CN1302519C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体器件制造方法 |
| 英文摘要 | 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。 |
| 公开日期 | 2007-02-28 |
| 申请日期 | 1999-11-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日野智公,浅野竹春,朝妻庸纪,等. 半导体器件制造方法. CN1302519C. 2007-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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