Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体
文献类型：专利
| 作者 | 柴田真佐知 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利号 | CN1734247B |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体 |
| 英文摘要 | 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2005-04-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48054]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田真佐知. Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体. CN1734247B. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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