光子晶体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 齐藤裕久; 松原秀树 |
| 发表日期 | 2012-04-04 |
| 专利号 | CN101641847B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光子晶体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。 |
| 公开日期 | 2012-04-04 |
| 申请日期 | 2008-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48055]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐藤裕久,松原秀树. 光子晶体激光器及其制造方法. CN101641847B. 2012-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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