量子阱混合
文献类型：专利
| 作者 | Y・李; K・宋; C-E・扎 |
| 发表日期 | 2012-05-09 |
| 专利号 | CN101849277B |
| 著作权人 | 康宁股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 量子阱混合 |
| 英文摘要 | 量子阱混合(QWI)方法的实施方式，该方法包括：提供具有上外延层和下外延层(10、13)的晶片(1)，各外延层包括阻挡层，设置在上外延层和下外延层(10、13)之间的量子阱层(11)；在上外延层之上施加至少一个牺牲层(21)；通过在牺牲层的一部分之上施加QWI加强层(31)从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中，QWI加强层(31)之下的一部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法进一步包括在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层(41)的步骤，以及在足以使量子阱层(11)和上外延层与下外延层(10、13)的阻挡层之间的原子发生相互扩散的温度下进行退火的步骤。 |
| 公开日期 | 2012-05-09 |
| 申请日期 | 2008-09-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48057]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康宁股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Y・李,K・宋,C-E・扎. 量子阱混合. CN101849277B. 2012-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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