一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 唐祖荣; 周勇; 陈文胜; 段利华; 吴天伟; 田坤 |
| 发表日期 | 2017-02-15 |
| 专利号 | CN104242056B |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。 |
| 公开日期 | 2017-02-15 |
| 申请日期 | 2014-10-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48060]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐祖荣,周勇,陈文胜,等. 一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法. CN104242056B. 2017-02-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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