氮化物半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林俊雅; 簗克典; 山口恭司; 中岛博 |
| 发表日期 | 2006-01-18 |
| 专利号 | CN1237578C |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底(10)上且每个均在其一侧表面上具有掩模(12)的籽晶部分(11)、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底(10)和籽晶部分(11)上的GaN层(15)。因为GaN层(15)仅自籽晶部分(11)的暴露且未覆盖掩模(12)的侧面上生长，所以其横向生长非对称地进行，从而汇合部分(32)在GaN层(15)的厚度方向上形成在籽晶部分(11)和掩模(12)之间的界面附近。汇合部分(32)在平行于衬底表面的方向上在一个偏离相邻籽晶部分(11)之间的中心的位置上形成，这提供了一种结构，其中，相对于籽晶部分(11)的间距WP的横向生长区的宽度WL大于传统结构的。 |
| 公开日期 | 2006-01-18 |
| 申请日期 | 2002-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48066]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林俊雅,簗克典,山口恭司,等. 氮化物半导体器件及其制造方法. CN1237578C. 2006-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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