半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 铃木良治 |
| 发表日期 | 2009-06-17 |
| 专利号 | CN100502067C |
| 著作权人 | 日立电线株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了抑制p型掺杂剂向p型包覆层和活性层扩散的半导体发光元件用外延晶片及其制造方法，以及使用该外延晶片、可以进行稳定的大功率输出运作和高温运作并且具有高可靠性的半导体发光元件。该半导体发光元件用外延晶片的结构是，在由GaAs构成的n型衬底1上依次层叠下述各层：由GaAs构成的n型缓冲层2、由GaInP构成的n型缓冲层3、由AlGaInP构成的n型包覆层4、由AlGaAs构成的非掺杂导向层5、由AlGaAs/GaAs的多重量子井(MQW)构成的活性层6、由AlGaInP构成的p型第1包覆层7、由GaInP构成的p型蚀刻停止层8、由AlGaInP构成的p型第2包覆层9、成为本发明特征部分的掺杂了碳的碳掺杂AlGaAs层10(锌扩散抑制层)、由GaInP构成的p型中间层11以及由GaAs构成的p型覆盖层12。 |
| 公开日期 | 2009-06-17 |
| 申请日期 | 2006-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48068]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立电线株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 铃木良治. 半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件. CN100502067C. 2009-06-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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