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超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器

文献类型:专利

作者渠红伟; 张冶金; 张建心; 刘磊; 齐爱谊; 王海玲; 马绍栋; 石岩; 郑婉华
发表日期2015-06-10
专利号CN103199435B
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器
英文摘要一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器,包括:一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层,一P型电极制作在绝缘层上;一N型电极,制作在衬底的背面;该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构,脊形结构上部的一侧为整体结构,另一侧为人工微结构,该人工微结构中包括多个狭槽,用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制;其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区,另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积,实现超低垂直发散角,改善单模激光器光束质量,提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作,低制作成本。
公开日期2015-06-10
申请日期2013-03-25
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48075]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
渠红伟,张冶金,张建心,等. 超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器. CN103199435B. 2015-06-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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