氮化镓晶体的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 油利正昭; 上田哲三; 马场孝明 |
| 发表日期 | 2006-05-10 |
| 专利号 | CN1255583C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化镓晶体的制造方法 |
| 英文摘要 | 为降低氮化镓晶体内的位错密度和可以进行解理，在硅衬底上形成碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体之后，只将硅衬底在诸如氢氟酸和硝酸之类混合的酸溶液中除去。接着，在留下来不除去的碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。 |
| 公开日期 | 2006-05-10 |
| 申请日期 | 1997-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48079]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 油利正昭,上田哲三,马场孝明. 氮化镓晶体的制造方法. CN1255583C. 2006-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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