一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
文献类型：专利
| 作者 | 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川 |
| 发表日期 | 2015-11-11 |
| 专利号 | CN103545713B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源区由InAs/AlSb电子注入区、GaAs/AlSb空穴注入区和InAs/GaInSb/AlSb/GaInSb/InAs？W型量子阱组成。本发明是把W型有源区结构(InAs/GaInSb/AlSb/GaInSb/InAs)和带间级联激光器结构结合而形成的。本发明公开的这种带间级联激光器，通过增加有源区内电子、空穴波函数交叠，从而提高有源区增益和激光器性能。 |
| 公开日期 | 2015-11-11 |
| 申请日期 | 2013-10-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48085]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇,邢军亮,徐应强,等. 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器. CN103545713B. 2015-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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