基于氮化镓生长半导体异质结构的方法
文献类型：专利
| 作者 | 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫; 诺姆·佩托维奇·索西沁; 瓦列里·佩托维奇·苏切科夫; 尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫; 弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫; 塞尔盖·亚历克桑德诺维奇·萨克哈若夫; 弗拉季米尔·亚历克桑德诺维奇·戈比列夫 |
| 发表日期 | 2016-01-20 |
| 专利号 | CN103215648B |
| 著作权人 | 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于氮化镓生长半导体异质结构的方法 |
| 英文摘要 | 本发明是基于氮化镓生长半导体异质结构的方法。提供了一种基于III族氮化物元素的化合物和合金生长用于发光二极管的外延异质结构的方法，所述方法包括在硅酸镓镧基底上利用气相沉积生长由式子AlxGa1-xN表示的一层或多层异质结构层的步骤，其中，0≤x≤1，其中，硅酸镓镧基底用Ce和Pr进行掺杂。 |
| 公开日期 | 2016-01-20 |
| 申请日期 | 2007-02-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48087]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫,诺姆·佩托维奇·索西沁,瓦列里·佩托维奇·苏切科夫,等. 基于氮化镓生长半导体异质结构的方法. CN103215648B. 2016-01-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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