一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器
文献类型：专利
| 作者 | 贾传宇; 张国义; 童玉珍 |
| 发表日期 | 2017-04-26 |
| 专利号 | CN104319631B |
| 著作权人 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1‑xN/GaN 超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。 |
| 公开日期 | 2017-04-26 |
| 申请日期 | 2014-09-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾传宇,张国义,童玉珍. 一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器. CN104319631B. 2017-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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