氮化物半导体发光元件及外延衬底
文献类型：专利
| 作者 | 京野孝史; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 善积祐介; 住友隆道 |
| 发表日期 | 2014-08-06 |
| 专利号 | CN102422496B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光元件及外延衬底 |
| 英文摘要 | 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。 |
| 公开日期 | 2014-08-06 |
| 申请日期 | 2010-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48098]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 京野孝史,盐谷阳平,秋田胜史,等. 氮化物半导体发光元件及外延衬底. CN102422496B. 2014-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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