半導體雷射裝置及其製法
文献类型：专利
| 作者 | 田中明; 伊藤義行; 堀內理; 幕田章雄; 玄永康一; 鹽澤秀夫 |
| 发表日期 | 2005-07-21 |
| 专利号 | TWI236790B |
| 著作权人 | 東芝股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製法 |
| 英文摘要 | 一種半導體雷射裝置包含：一第一導電率型之包覆層；一設在包覆層上之主動層；及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含：一側壁實質上為垂直之上部分；且一下部位之側壁為傾斜，故條片朝主動層變寬。 |
| 公开日期 | 2005-07-21 |
| 申请日期 | 2004-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48110]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東芝股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中明,伊藤義行,堀內理,等. 半導體雷射裝置及其製法. TWI236790B. 2005-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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