具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
文献类型：专利
| 作者 | 只友一行; 宫下启二; 冈川広明; 平松和政; 大内洋一郎; 泽木宣彦; 矢桥胜典; 柴田巧 |
| 发表日期 | 2004-08-18 |
| 专利号 | CN1162919C |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法 |
| 英文摘要 | 一种GaN族晶体基底部件，它包括基底衬底，部分覆盖所述基底衬底的表面的以得到掩模区的掩模层，在其上生长覆盖掩模层的GaN族晶体层，GaN族晶体层的一部分与基底衬底的无掩模区直接接触，它在半导体元件的用途，它的制造和控制位错线的方法。本发明的制造方法能够在GaN族晶体层中制造位于掩模区或无掩模区上面的具有低位错密度的部分。 |
| 公开日期 | 2004-08-18 |
| 申请日期 | 1998-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 只友一行,宫下启二,冈川広明,等. 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法. CN1162919C. 2004-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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