Ⅲ族氮化物半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 酒井浩光; 奥山峰夫 |
| 发表日期 | 2009-05-20 |
| 专利号 | CN100490190C |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明的一个目的是提供一种III族氮化物半导体元件，其包括呈现高结晶性和没有裂缝的厚AlGaN层，并且不包括厚GaN层(其通常作为在紫外LED中的光吸收层)。本发明的III族氮化物半导体元件包括：衬底；在所述衬底上提供的由AlN构成的第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上提供的由Alx1Ga1-x1N(0≤x1≤0.1)构成的第二氮化物半导体层；以及在所述第二氮化物半导体层上提供的由Alx2Ga1-x2N(0＜x2＜1并且x1+0.02≤x2)构成的第三氮化物半导体层。 |
| 公开日期 | 2009-05-20 |
| 申请日期 | 2004-10-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48122]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 酒井浩光,奥山峰夫. Ⅲ族氮化物半导体器件. CN100490190C. 2009-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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