中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Ⅲ族氮化物半导体器件

文献类型:专利

作者酒井浩光; 奥山峰夫
发表日期2009-05-20
专利号CN100490190C
著作权人丰田合成株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名Ⅲ族氮化物半导体器件
英文摘要本发明的一个目的是提供一种III族氮化物半导体元件,其包括呈现高结晶性和没有裂缝的厚AlGaN层,并且不包括厚GaN层(其通常作为在紫外LED中的光吸收层)。本发明的III族氮化物半导体元件包括:衬底;在所述衬底上提供的由AlN构成的第一氮化物半导体层;在所述第一氮化物半导体层上提供的由Alx1Ga1-x1N(0≤x1≤0.1)构成的第二氮化物半导体层;以及在所述第二氮化物半导体层上提供的由Alx2Ga1-x2N(0<x2<1并且x1+0.02≤x2)构成的第三氮化物半导体层。
公开日期2009-05-20
申请日期2004-10-13
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48122]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位丰田合成株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
酒井浩光,奥山峰夫. Ⅲ族氮化物半导体器件. CN100490190C. 2009-05-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。