Cd(In,Ga)2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 夏长泰; 张俊刚; 徐军; 周国清; 吴锋; 彭观良 |
| 发表日期 | 2007-05-02 |
| 专利号 | CN1314078C |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Cd(In,Ga)2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种Cd(In，Ga)2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgAl2O4单晶上设有一层Cd(In，Ga)O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用脉冲激光淀积方法在MgAl2O4(111)单晶衬底上形成Cd(In，Ga)O4覆盖层，通过退火工艺处理，在MgAl2O4(111)单晶衬底得到晶化的Cd(In，Ga)O4(111)薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，此种结构的复合衬底Cd(In，Ga)2O4/MgAl2O4适合于高质量GaN的外延生长。 |
| 公开日期 | 2007-05-02 |
| 申请日期 | 2004-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48135]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏长泰,张俊刚,徐军,等. Cd(In,Ga)2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法. CN1314078C. 2007-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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