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半導體雷射元件

文献类型:专利

作者上山智; 木戶口勳; 伴雄三郎; 長谷川義晃; 宮永良子; 村步; 雅博; 辻村步; 粂雅博
发表日期2000-12-01
专利号TW413972B
著作权人松下電器產業股份有限公司
国家中国台湾
文献子类授权发明
其他题名半導體雷射元件
英文摘要本發明係提供可在紫外光領域振盪之半導體雷射(Laser)元件,並提昇該元件可靠性。本發明在由藍寶石(sapphire)所構成之基板11上面,依序形成:由GaN(氮化鎵)所構成之緩衝(buffer)層12;和由摻雜矽(Si)雜質(dope)之n型GaN所構成之n型接觸(contact)層13。在n型接觸層13上面之元件形成領域,依序形成:n型包覆(clad)層14,是由n型Al0.3Ga0.7N所構成;n型導光(guide)層15,是由n型Al0.25Ga0.75N所構成;多重量子井活性層16,是交替堆積由Al0.2Ga0.8N所構成之井層及由 Al0.25Ga0.75N所構成之障壁層來形成;p型導光層17,是由摻雜鎂(Mg)之p型Al0.25Ga0.75N所構成;p型包覆層18,是由p型 Al0.4Ga0.6N0.98P0.02所構成;和p型接觸層19,是由p型GaN所構成。
公开日期2000-12-01
申请日期1999-04-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48139]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器產業股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
上山智,木戶口勳,伴雄三郎,等. 半導體雷射元件. TW413972B. 2000-12-01.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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