半導體雷射元件
文献类型:专利
作者 | 上山智; 木戶口勳; 伴雄三郎; 長谷川義晃; 宮永良子; 村步; 雅博; 辻村步; 粂雅博 |
发表日期 | 2000-12-01 |
专利号 | TW413972B |
著作权人 | 松下電器產業股份有限公司 |
国家 | 中国台湾 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導體雷射元件 |
英文摘要 | 本發明係提供可在紫外光領域振盪之半導體雷射(Laser)元件,並提昇該元件可靠性。本發明在由藍寶石(sapphire)所構成之基板11上面,依序形成:由GaN(氮化鎵)所構成之緩衝(buffer)層12;和由摻雜矽(Si)雜質(dope)之n型GaN所構成之n型接觸(contact)層13。在n型接觸層13上面之元件形成領域,依序形成:n型包覆(clad)層14,是由n型Al0.3Ga0.7N所構成;n型導光(guide)層15,是由n型Al0.25Ga0.75N所構成;多重量子井活性層16,是交替堆積由Al0.2Ga0.8N所構成之井層及由 Al0.25Ga0.75N所構成之障壁層來形成;p型導光層17,是由摻雜鎂(Mg)之p型Al0.25Ga0.75N所構成;p型包覆層18,是由p型 Al0.4Ga0.6N0.98P0.02所構成;和p型接觸層19,是由p型GaN所構成。 |
公开日期 | 2000-12-01 |
申请日期 | 1999-04-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48139] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器產業股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山智,木戶口勳,伴雄三郎,等. 半導體雷射元件. TW413972B. 2000-12-01. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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