半導體雷射元件
文献类型：专利
| 作者 | 上山智; 木戶口勳; 伴雄三郎; 長谷川義晃; 宮永良子; 村步; 雅博; 辻村步; 粂雅博 |
| 发表日期 | 2000-12-01 |
| 专利号 | TW413972B |
| 著作权人 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射元件 |
| 英文摘要 | 本發明係提供可在紫外光領域振盪之半導體雷射（Laser）元件，並提昇該元件可靠性。本發明在由藍寶石（sapphire）所構成之基板11上面，依序形成：由GaN（氮化鎵）所構成之緩衝（buffer）層12；和由摻雜矽（Si）雜質（dope）之n型GaN所構成之n型接觸（contact）層13。在n型接觸層13上面之元件形成領域，依序形成：n型包覆（clad）層14，是由n型Al0.3Ga0.7N所構成；n型導光（guide）層15，是由n型Al0.25Ga0.75N所構成；多重量子井活性層16，是交替堆積由Al0.2Ga0.8N所構成之井層及由 Al0.25Ga0.75N所構成之障壁層來形成；p型導光層17，是由摻雜鎂（Mg）之p型Al0.25Ga0.75N所構成；p型包覆層18，是由p型 Al0.4Ga0.6N0.98P0.02所構成；和p型接觸層19，是由p型GaN所構成。 |
| 公开日期 | 2000-12-01 |
| 申请日期 | 1999-04-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48139]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山智,木戶口勳,伴雄三郎,等. 半導體雷射元件. TW413972B. 2000-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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