氮化物半导体元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅原岳; 川口靖利; 石桥明彦; 木户口勋; 横川俊哉 |
| 发表日期 | 2007-11-14 |
| 专利号 | CN100349341C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。 |
| 公开日期 | 2007-11-14 |
| 申请日期 | 2004-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原岳,川口靖利,石桥明彦,等. 氮化物半导体元件及其制造方法. CN100349341C. 2007-11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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