一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 苏建; 夏伟; 张秋霞; 任忠祥; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2015-06-24 |
| 专利号 | CN103001119B |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法。该SiC衬底倒装激光器芯片制作包括一常规激光器芯片结构，从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；包括一SiC衬底，衬底的底面镀有金属欧姆接触层，另一面镀有金属键合层；常规激光器芯片的金属欧姆接触层通过SiC衬底的金属键合层与SiC衬底键合在一起；常规激光器芯片去除原衬底后的缓冲层蒸镀有N电极金属层，制成的SiC衬底激光器N极在上、P极在下。与传统激光器相比，本发明的基于SiC衬底的倒装激光器芯片具有散热性好、稳定性好、寿命长等优点。 |
| 公开日期 | 2015-06-24 |
| 申请日期 | 2011-09-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏建,夏伟,张秋霞,等. 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法. CN103001119B. 2015-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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