半导体外延晶片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤薰由; 铃木良治 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利号 | CN100440429C |
| 著作权人 | 日立电线株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体外延晶片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了使外延层在基板上生长时，不需要新保护膜的形成、除去工序，并且可以维持洁净的镜面的定向平面的半导体外延晶片及其制造方法。半导体外延晶片是，由具有通过解理形成的定向平面(2)的基板(1)和形成于该基板(1)上的半导体外延层构成，所述基板(1)的定向平面(2)的两端(2a)用披覆部件(15)覆盖隐藏至向所述基板内侧伸入规定距离的区域，于此状态下在所述基板上(1)形成外延层，在将所述披覆部件(15)从基板(1)上除去的状态下，没有形成所述外延层的未生长部分存在于所述定向平面(2)的两端(2a)。 |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 申请日期 | 2006-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48152]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立电线株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤薰由,铃木良治. 半导体外延晶片及其制造方法. CN100440429C. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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