半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法
文献类型：专利
| 作者 | 倉本大 |
| 发表日期 | 2012-10-01 |
| 专利号 | TWI373895B |
| 著作权人 | 新力股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法 |
| 英文摘要 | 本發明揭示一種半導體雷射，其包括：一第一導電型的一第一包覆層；一在該第一包覆層之上的作用層；一在該作用層之上的飽和吸收層；及在該飽和吸收層之上的一第二導電型的一第二包覆層；至少該第二包覆層具有一對相互平行的溝槽，其間具有一預定間隔，以便在其間形成一脊帶。在該半導體雷射中，從該等溝槽之底部表面至該作用層之一上表面之距離係不小於105 nm，而從該等溝槽之該等底部表面至該飽和吸收層之一上表面之距離係不超過100 nm。 |
| 公开日期 | 2012-10-01 |
| 申请日期 | 2007-04-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48154]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉本大. 半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法. TWI373895B. 2012-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。