Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 手钱雄太 |
| 发表日期 | 2009-02-11 |
| 专利号 | CN100461340C |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及III族氮化物系化合物半导体的制造方法。蓝宝石衬底(1)蚀刻成10μm宽、10μm间隔、且10μm深的条带图案。厚度大约为40nm的AlN缓冲层(2)主要形成在衬底(1)上台阶的顶面和底面上。GaN层(3)通过垂直和水平外延生长形成。从而，台阶由台阶顶面上水平外延生长的缓冲层(21)覆盖，因此，该表面变得平坦。在GaN层(3)的在台阶底部之上的部分中的线位错与其在台阶顶部之上的部分相比被明显抑制。 |
| 公开日期 | 2009-02-11 |
| 申请日期 | 2001-02-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48155]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 手钱雄太. Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法. CN100461340C. 2009-02-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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