氮化物基化合物半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 幡俊雄 |
| 发表日期 | 2008-05-14 |
| 专利号 | CN100388518C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物基化合物半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明通过在氮化物基化合物半导体发光器件制造工艺中芯片分割时抑制剥落和抑制在半导体层中的短路，提供一种具有良好特性且确保高可靠性的氮化物基化合物半导体发光器件。所述半导体发光器件，具有第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层(21)、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3)，依次设置在导电衬底(1)上，且还具有氮化物基化合物半导体层(60)，设置在第二欧姆电极(3)上。第二欧姆电极(2)的部分表面被暴露。 |
| 公开日期 | 2008-05-14 |
| 申请日期 | 2005-08-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡俊雄. 氮化物基化合物半导体发光器件. CN100388518C. 2008-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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