基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 碓井彰; 柴田真佐知; 大岛祐一 |
| 发表日期 | 2005-09-07 |
| 专利号 | CN1218374C |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 为了提供一种具有较小扭曲的III族氮化物半导体基片，本发明提供了一种方法，该方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底31上，外延生长具有GaN低温生长缓冲层的GaN层33；从由生长反应器中取出的基片上去除该蓝宝石衬底31、GaN缓冲层32和一小部分GaN层33，从而获得自承重GaN基片35；并且然后，通过在NH3气氛、1200℃下，将该GaN基片35放入电炉中对其进行热处理24小时；这导致自承重GaN基片35的扭曲明显减小，使得其正面和反面的位错密度为4×107cm-2和8×105cm-2，从而很好地控制这种低位错密度比值为50。 |
| 公开日期 | 2005-09-07 |
| 申请日期 | 2003-03-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 碓井彰,柴田真佐知,大岛祐一. 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法. CN1218374C. 2005-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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