氮化物半导体装置的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿部真司; 川崎和重 |
| 发表日期 | 2012-03-14 |
| 专利号 | CN101752783B |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。 |
| 公开日期 | 2012-03-14 |
| 申请日期 | 2009-11-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司,川崎和重. 氮化物半导体装置的制造方法. CN101752783B. 2012-03-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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