砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华 |
| 发表日期 | 2008-04-16 |
| 专利号 | CN100382347C |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法 |
| 英文摘要 | 一种砷化镓基5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第二GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。 |
| 公开日期 | 2008-04-16 |
| 申请日期 | 2005-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48191]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,倪海桥,韩勤,等. 砷化镓基5微米量子阱结构及其外延生长方法. CN100382347C. 2008-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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