单片多波长激光器件及其制造该器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 辰巳正毅 |
| 发表日期 | 2006-10-18 |
| 专利号 | CN1280960C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 单片多波长激光器件及其制造该器件的方法 |
| 英文摘要 | 包括制成在单个砷化镓(GaAs)衬底上的一个第一波长的激光部分(102)和一个第二波长的激光部分(103)，其特征在于，第一波长的激光部分(102)具有一个真实引导结构，而第二波长的激光部分(103)具有一个损耗引导结构。在这类多波长的激光器件中，与常规的器件相比较，当第一波长是在大约780nm的波长段中和第二波长是在大约650nm的波长段中时，由于第一波长的激光部分具有一个真实引导结构，所以波导中的损耗可以减小，并且工作电流可以减小。 |
| 公开日期 | 2006-10-18 |
| 申请日期 | 2003-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48196]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辰巳正毅. 单片多波长激光器件及其制造该器件的方法. CN1280960C. 2006-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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