氮化物半導體雷射元件及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小崎德也; 坂本惠司; 松村拓明 |
| 发表日期 | 2011-08-11 |
| 专利号 | TWI347054B |
| 著作权人 | 日亞化學工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半導體雷射元件及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明揭示一種氮化物半導體雷射裝置及其製造方法，該裝置具有一計數器電極結構，其接觸電阻係降低。該氮化物半導體雷射裝置包括：一氮化物半導體基板，其具有該第一主要表面及該第二主要表面，一氮化物半導體層，其堆疊在該氮化物半導體基板之第一主要表面上，一脊狀長條，其形成在該氮化物半導體層中，及一共振表面，其以垂直該脊形長條長度之方向形成一光學波導，其中該氮化物半導體基板包括一第一區，其具有一(0001)面板之長晶面，及一第二區，其具有一至少與該第一區不同之長晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及/或一第二主要表面之第二區中。一脊形長條覆於該氮化物半導體基板之第一主要表面之上而形成。 |
| 公开日期 | 2011-08-11 |
| 申请日期 | 2004-06-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48197]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亞化學工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎德也,坂本惠司,松村拓明. 氮化物半導體雷射元件及其製造方法. TWI347054B. 2011-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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